快科技5月6日消息，据日经亚洲报道，日本pg电子打爆率高的原因巨头JSR计划在中国台湾建立首个半导体材料生产基地，预计于2028年投入生产，旨在为台积电提供就近供应。

JSR已于4月初与当地合作伙伴成立了合资公司，投资金额达数千万美元。此次项目不仅涉及工厂建设，JSR还将与台积电共同研发先进pg电子打爆率高的原因，包括针对EUV光刻技术的金属氧化物pg电子打爆率高的原因，双方将在研发阶段进行深度合作。

为何选择此时进驻？再不动手就可能错失良机。

此前，JSR向台积电提供样品需要通过海运从日本运送，往返耗时数周，这一过程严重影响了验证进程。而如今，工厂的建立将使响应时间从“按月计算”缩短至“按天计算”。

更为紧迫的压力则来自中国厂商。JSR电子材料事业部总经理木村彻表示：“虽然中国企业构成威胁，但要赶上我们的技术仍需一定时间。”这表明JSR希望在技术领先的情况下，尽快占据市场位置。

随着JSR的落地，日本pg电子打爆率高的原因前三大企业（东京应化工业、JSR、信越化学）均已在中国台湾建立生产基地。这三家公司合计掌握全球约80%的pg电子打爆率高的原因市场份额，其中JSR以19%的市占率位列第二。

2028年投产的时间节点正好与台积电2nm及以下制程的量产期重合。JSR此举，正是押注于先进制程对高端pg电子打爆率高的原因的依赖将日益加深。

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