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JDB电子奥林匹亚神庙SSA800批量交付 良率超90%?媒体辟谣:假消息!
—— 深度解析 JDB电子奥林匹亚神庙 行业新动向
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据最新网络舆情数据显示,近期关于“上海微电子28nm浸没式DUV光刻机完成首批批量交付”的消息在半导体行业内引发了广泛关注。
对此,芯智讯发表文章进行了澄清,指出该消息存在多项重大事实错误。
文章首先对报道的信源提出质疑,指出该报道仅以“据报道”模糊表述,未提及任何具体的权威来源,这在涉及光刻机这一重大科技新闻时显得极为不严谨。
报道称“2026年1月,上海微电子将在长三角半导体产业峰会上首次官宣SSA800系列实现全面量产”。然而调查显示,该所谓的“长三角半导体产业峰会”并未获得任何权威媒体的报道,相关的时间、地点及主办方等基本信息均无法查证。上海微电子官方也并未发布相关公告。目前网络上关于该峰会的所有信息,均与“上海微电子官宣量产”相关的自媒体稿件相绑定。
另一个被质疑的说法是“2026年3月SEMICONChina展会上,上海微电子首次公开展示了SSA800样机”。据芯智讯记者回忆,自己当时在展会现场,发现上海微电子的展台上并未展示该设备。展会期间及结束后,也没有任何正规媒体对此事件进行报道。
更为夸张的是“量产良率90%~95%”的说法。一位光刻机厂商的内部人士表示:“这是假消息,光刻机并不存在良率的概念。”光刻机作为芯片生产的核心设备,根本不具备“良率”这一指标。
即便是指用其生产芯片的良率,这一数字也显得过于夸大。值得注意的是,台积电在2011年量产28nm工艺后,直到2012年8月良率才勉强超过80%。
一位国内晶圆代工厂的从业者透露,目前SSA800系列尚未进入任何商业化晶圆厂,仍在集成电路研发中心(ICRD)进行测试验证。关于“首批批量交付”和“量产工艺验证”的说法均与实际情况不符。
据了解,SSA800实际上是近年来市场上频繁提及的国产“28nm光刻机”,其为一款193nm ArF浸没式光刻机,套刻精度控制在2.3~2.5nm,每小时可处理150片晶圆,其竞争对手为ASML的TWINSCAN NXT:1950i。后者的专用卡盘套刻精度为2.5nm,而混合匹配套刻精度为3.5nm,每小时可处理200片晶圆。
文章最后指出,期待国产光刻机的突破是每一个中国人的共同愿望,但越是渴望,越应保持理性的底线。虚假的“放卫星”不仅会误导公众,还将损害产业链的严肃性与踏实攻坚的精神。
真正的技术突破,永远不需要依赖炒作来证明自身的价值。

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责任编辑:朝晖
《 深度产经观察 》( 2026年 版)
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